Особливості поліпшування структурно-чутливих параметрів сенсорів на основі гетерогенних дисперсних систем

Автор(и)

  • Л. Л. Терлецька Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна
  • М. Х. Копит Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна
  • В. В. Голубцов Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/0367-1631.2010.47.163634

Анотація

Розглянуто особливості отримання підкладинок GaAs з поліпшеними структурними та електрофізичними параметрами для сенсорів. Розроблено оптимальні режими процесів ізотермічної обробки та обробки пластин у полі градієнта температур, що сприяють значному зменшенню щільності дислокацій та об'ємної частки провідних неоднорідностей. Комплексне застосування розроблених методів призначено для оптимізації технології отримання підкладинок GaAs у виробництві сенсорів з підвищеною надійністю.

##submission.downloads##

Опубліковано

2010-04-10

Як цитувати

Терлецька, Л. Л., Копит, М. Х., & Голубцов, В. В. (2010). Особливості поліпшування структурно-чутливих параметрів сенсорів на основі гетерогенних дисперсних систем. Фізика аеродисперсних систем, (47), 154–159. https://doi.org/10.18524/0367-1631.2010.47.163634

Номер

№ 47 (2010)

Розділ

Електрофізика

Ліцензія

Авторське право (c) 2010 Фізика аеродисперсних систем

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International License.