Неоднорідність приповерхневих шарів гетерогенних систем після термічного відпалу

Автор(и)

  • Л. Л. Терлецька Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна
  • М. Х. Копит Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна
  • Л. Ф. Калініченко Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна
  • В. В. Голубцов Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/0367-1631.2012.49.160519

Анотація

Визначено суттєву шарувату неоднорідність у приповерхневих областях пластин напівізолюючого арсеніду галлію після відпалу при температурах, близьких до процесу рідкофазової епітаксії. Показано можливість оптимізації параметрів підкладинок для отримання на їх основі малонапруженних епітаксійних структур з покращеними функціональними властивостями.

##submission.downloads##

Опубліковано

2012-03-22

Як цитувати

Терлецька, Л. Л., Копит, М. Х., Калініченко, Л. Ф., & Голубцов, В. В. (2012). Неоднорідність приповерхневих шарів гетерогенних систем після термічного відпалу. Фізика аеродисперсних систем, (49), 27–30. https://doi.org/10.18524/0367-1631.2012.49.160519

Номер

№ 49 (2012)

Розділ

Тепломасообмін

Ліцензія

Авторське право (c) 2012 Фізика аеродисперсних систем

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International License.