Особливості поліпшування структурно-чутливих параметрів сенсорів на основі гетерогенних дисперсних систем

Автор(и)

  • Л. Л. Терлецька Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
  • М. Х. Копит Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
  • В. В. Голубцов Одеський національний університет імені І. І. Мечникова

DOI:

https://doi.org/10.18524/0367-1631.2010.47.163634

Анотація

Розглянуто особливості отримання підкладинок GaAs з поліпшеними структурними та електрофізичними параметрами для сенсорів. Розроблено оптимальні режими процесів ізотермічної обробки та обробки пластин у полі градієнта температур, що сприяють значному зменшенню щільності дислокацій та об'ємної частки провідних неоднорідностей. Комплексне застосування розроблених методів призначено для оптимізації технології отримання підкладинок GaAs у виробництві сенсорів з підвищеною надійністю.

Біографії авторів

Л. Л. Терлецька, Одеський національний університет імені І. І. Мечникова

Terletskaya L.L.,

М. Х. Копит, Одеський національний університет імені І. І. Мечникова

Kopyt N.Ch.,

В. В. Голубцов, Одеський національний університет імені І. І. Мечникова

Golubtsov V.V.

##submission.downloads##

Опубліковано

2010-04-10

Номер

Розділ

Електрофізика