Неоднорідність приповерхневих шарів гетерогенних систем після термічного відпалу

Автор(и)

  • Л. Л. Терлецька Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна
  • М. Х. Копит Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна
  • Л. Ф. Калініченко Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна
  • В. В. Голубцов Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/0367-1631.2012.49.160519

Анотація

Визначено суттєву шарувату неоднорідність у приповерхневих областях пластин напівізолюючого арсеніду галлію після відпалу при температурах, близьких до процесу рідкофазової епітаксії. Показано можливість оптимізації параметрів підкладинок для отримання на їх основі малонапруженних епітаксійних структур з покращеними функціональними властивостями.

##submission.downloads##

Опубліковано

2012-03-22

Номер

Розділ

Тепломасообмін