Неоднорідність приповерхневих шарів гетерогенних систем після термічного відпалу

Автор(и)

  • Л. Л. Терлецька Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
  • М. Х. Копит Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
  • Л. Ф. Калініченко Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
  • В. В. Голубцов Одеський національний університет імені І. І. Мечникова

DOI:

https://doi.org/10.18524/0367-1631.2012.49.160519

Анотація

Визначено суттєву шарувату неоднорідність у приповерхневих областях пластин напівізолюючого арсеніду галлію після відпалу при температурах, близьких до процесу рідкофазової епітаксії. Показано можливість оптимізації параметрів підкладинок для отримання на їх основі малонапруженних епітаксійних структур з покращеними функціональними властивостями.

Біографії авторів

Л. Л. Терлецька, Одеський національний університет імені І. І. Мечникова

Terletskaya L.L.,

М. Х. Копит, Одеський національний університет імені І. І. Мечникова

Kopyt N.Kh.,

Л. Ф. Калініченко, Одеський національний університет імені І. І. Мечникова

Kalinichenko L.F.,

В. В. Голубцов, Одеський національний університет імені І. І. Мечникова

Golubtsov B.B.

##submission.downloads##

Опубліковано

2012-03-22

Номер

Розділ

Тепломасобмін